📑 Daftar Isi

Ilustrasi chip HiSilicon Kirin 9030 buatan SMIC yang dianalisis SemiAnalysis

Teardown Kirin 9030: SMIC 7nm Kalahkan Intel 18A di Satu Aspek

Penulis:Nur Hamzah
Terbit:
Diperbarui:
⏱️4 menit membaca
Bagikan:
  • SemiAnalysis merilis teardown pertama dari lab STEEL, fokus pada Kirin 9030 buatan SMIC
  • Minimum local metal pitch SMIC N+3 mencapai 32,5nm, lebih rapat dari Intel 18A (36nm)
  • Intel 18A tetap unggul dengan GAA RibbonFET dan backside power
  • SMIC capai 32,5nm tanpa EUV, gunakan DUV dengan quadruple-patterning
  • Kepadatan transistor N+3: 113,4 juta/mm², di atas TSMC N6 (107,7 juta/mm²)
  • Kirin 9030 Pro setara flagship Android 2021, tertinggal dari chip terbaru
  • SemiAnalysis targetkan TechInsights sebagai pesaing utama

Telset.id – Analisis mendalam dari laboratorium independen SemiAnalysis mengungkapkan bahwa chip HiSilicon Kirin 9030 buatan SMIC memiliki metal pitch lokal lebih rapat dibandingkan proses Intel 18A. Temuan ini menjadi sorotan di tengah persaingan ketat teknologi semikonduktor global.

SemiAnalysis melalui divisi barunya, STEEL (SemiAnalysis Teardown Engineering & Evaluation Lab) yang berlokasi di Hillsboro, Oregon, mempublikasikan hasil pembedahan (teardown) pertamanya. Fokus analisis adalah prosesor HiSilicon Kirin 9030 yang digunakan pada lini ponsel Huawei Mate 80. Chip ini diproduksi menggunakan proses N+3 milik SMIC, pabrik semikonduktor asal China.

Hasil pengukuran menunjukkan bahwa minimum local metal pitch pada SMIC N+3 mencapai 32,5 nanometer. Angka ini lebih kecil dibandingkan pitch 36 nanometer yang digunakan pada chip Intel Panther Lake yang dibangun di atas proses 18A. Secara teori, metal pitch yang lebih rapat memungkinkan lebih banyak koneksi dalam ruang yang sama, berpotensi meningkatkan densitas transistor.

Perbandingan Metal Pitch SMIC vs Intel

Meskipun secara pitch lokal SMIC unggul, SemiAnalysis menegaskan bahwa proses 18A milik Intel secara keseluruhan tetap unggul. Proses Intel 18A mendukung minimum metal pitch 32 nanometer, namun untuk produk Panther Lake, Intel memilih untuk melonggarkannya menjadi 36 nanometer. Keputusan ini diambil karena Intel menggunakan teknologi PowerVia yang menyalurkan daya melalui bagian belakang wafer, sehingga bagian depan wafer bisa difokuskan untuk sinyal.

HiSilicon Kirin 9030 die annotation

Intel menyatakan bahwa pendekatan ini memberikan keuntungan densitas sekitar 10% lebih tinggi dan pitch depan yang lebih longgar. Dengan kata lain, meskipun SMIC berhasil mencapai pitch lebih rapat tanpa teknologi EUV, proses 18A milik Intel yang menggunakan transistor GAA RibbonFET dan backside power tetap mempertahankan keunggulan secara keseluruhan.

Capaian SMIC Tanpa EUV Lithography

Salah satu temuan paling menarik adalah bahwa SMIC mencapai pitch 32,5nm tanpa menggunakan mesin lithography EUV. Pabrikan China ini masih mengandalkan mesin DUV (Deep Ultraviolet) dengan teknik quadruple-patterning yang membutuhkan lapisan masker dan proses etsa tambahan. Ini menunjukkan upaya ekstrem SMIC untuk mengejar ketertinggalan di tengah sanksi teknologi Barat.

Dalam hal kepadatan transistor, SemiAnalysis mencatat bahwa proses N+3 SMIC mencapai 113,4 juta transistor per milimeter persegi. Angka ini sedikit lebih tinggi dari proses N6 milik TSMC yang mencapai 107,7 juta, namun masih tertinggal jauh dari proses 18A Intel. SMIC mencapai angka tersebut dengan mengandalkan berbagai trik desain seperti dua fin per transistor, kontak yang langsung mendarat di atas gerbang aktif, dan single diffusion breaks antar sel.

Setiap trik tersebut tentu menambah kompleksitas dan biaya produksi. SemiAnalysis menekankan bahwa capaian N+3 memiliki batas atas yang jelas, menunjukkan adanya trade-off besar antara kinerja dan biaya produksi.

Kinerja Kirin 9030 Pro

Chip Kirin 9030 Pro yang dianalisis memiliki core utama (prime core) yang berjalan pada kecepatan 2,75 GHz. Performa per clock dari core ini mendekati arsitektur Cortex-X2 milik Arm yang dirilis pada tahun 2021. Implikasinya, chip ini secara keseluruhan setara dengan flagship Android dari tiga tahun lalu dan masih tertinggal dari produk terbaru Apple, Qualcomm, MediaTek, dan Samsung.

Menariknya, peta jalan Huawei menyebutkan target mencapai 5 GHz pada tahun 2031. Namun, SemiAnalysis mencatat bahwa target tersebut “jauh melampaui apa yang bisa dicapai oleh planar scaling saja.” Hal ini mengindikasikan bahwa Huawei kemungkinan harus mengandalkan inovasi arsitektur atau material baru untuk mencapai target tersebut.

Laboratorium STEEL dan Target SemiAnalysis

SemiAnalysis mengungkapkan bahwa mereka telah menghabiskan 18 bulan terakhir untuk membangun laboratorium STEEL. Lab ini sudah menghasilkan pendapatan dari analisis chip pusat data. “Kami telah menghasilkan pendapatan dari teardown chip pusat data canggih, termasuk rekayasa balik baru-baru ini terhadap optical engine COUPE CPO milik pelanggan utama TSMC,” tulis mereka.

Dengan berdirinya STEEL, SemiAnalysis secara langsung menantang TechInsights yang berbasis di Ottawa, Kanada. TechInsights didukung oleh modal swasta dari Oakley Capital dan CVC Growth. SemiAnalysis mengklaim bahwa pesaingnya tersebut sedang dijual dan akibatnya kurang berinvestasi pada peralatan, meskipun klaim ini belum dikonfirmasi secara resmi.

SMIC headquarters logo

Selain itu, teardown juga menemukan bahwa Kirin 9030 Pro menggunakan memori LPDDR5X dari Samsung. Varian dengan RAM 16 GB juga ditemukan menggunakan DRAM dari pabrikan China CXMT. Temuan ini menunjukkan diversifikasi rantai pasokan Huawei di tengah tekanan geopolitik.

Implikasi Persaingan Semikonduktor

Data dari SemiAnalysis ini memberikan gambaran yang lebih nuanced tentang lanskap semikonduktor global. Di satu sisi, SMIC dan China menunjukkan kemampuan untuk berinovasi di bawah tekanan, mencapai pitch metal yang lebih rapat tanpa EUV. Di sisi lain, keunggulan arsitektur seperti GAA dan backside power milik Intel serta ekosistem fabrikasi TSMC yang matang masih mempertahankan posisi dominan mereka.

Bagi pengamat industri, temuan ini menjadi indikator bahwa persaingan teknologi chip tidak lagi sekadar siapa yang memiliki node paling kecil. Fitur Terbaru dalam desain transistor, manajemen daya, dan teknik packaging kini sama pentingnya dengan ukuran transistor itu sendiri.

Perang teknologi antara AS dan China terus mendorong inovasi di kedua kubu. Sementara China berjuang dengan peralatan terbatas, perusahaan AS seperti Intel dan AMD terus mengembangkan arsitektur baru untuk mempertahankan keunggulan. Google Gugat Jaringan terkait penyalahgunaan AI, sementara di sisi hardware, pertarungan semakin sengit.

Dengan target ambisius Huawei mencapai 5 GHz pada 2031 dan investasi besar-besaran dalam fasilitas riset seperti STEEL, dekade mendatang akan menjadi saksi persaingan paling menarik dalam sejarah semikonduktor. Pertanyaannya, apakah China bisa mempertahankan momentum ini tanpa akses ke teknologi EUV?

Komentar

Belum ada komentar.