Telset.id, Jakarta – Sebuah laporan pada bulan Juli 2016 mengatakan bahwa IBM dan Samsung telah mengumumkan mengembangkan sebuah proses untuk memproduksi sejenis RAM non-volatile yang mencapai 100.000 kali lebih cepat daripada flash NAND dan memakai nama yang disebut magnetoresistive RAM (MRAM).
MRAM menggunakan teknologi spin-transfer torque (STT), yang akan menghasilkan chip memori berkapasitas rendah untuk sensor Internet of Things, perangkat keras dan perangkat mobile yang saat ini menggunakan flash NAND untuk menyimpan data.
[Baca Juga : Ini Cara Samsung Menguji Baterai S8 [Video]]
MRAM dapat digunakan untuk jenis memori kerja baru dalam aplikasi daya ultra rendah. Misalnya, perangkat ini dapat digunakan di perangkat seluler, yang menggunakan daya sangat rendah saat menyimpan informasi, dan bila tidak digunakan secara aktif, MRAM menggunakan daya nol.
 Seperti dilansir dari Sammobile, MRAM akan diperkenalkan secara rinci diacara Forum Foundry Samsung yang akan diadakan di AS pada 24 Mei 2017.
Samsung jua telah membuat prototype SoC (System on Chip) yang dibangun menggunakan MRAM di dalamnya yang kemungkinan akan dipresentasikan pada acara bulan depan.
MRAM digunakan dalam proses FD-SOI ini. Pelanggan bisa memilih antara memori flash dan MRAM melalui teknologi memory tertanam. (MS)
