Chip zHBM dan V10 BV-NAND terbaru Samsung dengan latar grid merah

Samsung Umumkan zHBM dan V10 BV-NAND, Memori 3D Generasi Baru untuk AI

Penulis:Nur Hamzah
Terbit:
Diperbarui:
ā±ļø3 menit membaca
Bagikan:
  • Samsung mengumumkan zHBM, arsitektur memori baru yang menumpuk HBM secara vertikal di atas akselerator AI
  • zHBM meningkatkan performa hingga 8x dan kepadatan memori 10x lipat dibanding HBM5
  • V10 BV-NAND hadir dengan lebih dari 400 lapisan sel memori, meningkat 58% dari V9
  • zNAND-O dan LPDDR5X-PIM juga diperkenalkan untuk kebutuhan edge AI
  • Sebagian besar produksi memori baru akan diserap AI data center, bukan konsumen
  • Harga DDR5 dan komponen elektronik diperkirakan tetap tinggi karena permintaan AI

Telset.id – Samsung baru saja mengumumkan jajaran memori dan penyimpanan generasi terbaru di ajang Future of Memory and Storage (FMS) di Santa Clara. Produk-produk anyar seperti zHBM dan V10 BV-NAND ini memang tampak mengesankan secara teknologi, namun sayangnya sebagian besar pasokannya akan diserap oleh pusat data AI, bukan untuk perangkat konsumen seperti PC atau smartphone.

Pengumuman ini menjadi pukulan telak bagi konsumen yang selama ini menantikan harga DDR5 yang lebih bersahabat. Pasalnya, Samsung dan SK Hynix sebagai dua perusahaan penguasa produksi memori dunia, saat ini kesulitan memenuhi lonjakan permintaan dari industri AI. Akibatnya, harga komponen elektronik seperti konsol game, smartphone, hingga laptop terus meroket.

Di ajang FMS, Samsung memamerkan konsep pertama zHBM, sebuah arsitektur memori baru yang menyusun HBM secara vertikal di atas akselerator AI. Berbeda dengan desain sebelumnya yang meletakkan memori di samping prosesor, pendekatan baru ini mampu meningkatkan performa hingga delapan kali lipat.

Chip zHBM dan V10 BV-NAND terbaru Samsung ditampilkan dengan latar belakang grid merah
Chip zHBM dan V10 BV-NAND terbaru Samsung yang dipamerkan di ajang FMS 2026.

zHBM juga memanfaatkan teknologi wafer bonding generasi terbaru yang memungkinkan kepadatan memori lebih dari 10 kali lipat dibandingkan teknologi HBM5 saat ini, sekaligus meningkatkan efisiensi energi hingga tiga kali lipat. Teknologi ini dirancang khusus untuk kebutuhan pusat data dan akselerator AI yang membutuhkan bandwidth sangat tinggi.

Selain zHBM, Samsung juga memperkenalkan V10 BV-NAND, jenis memori V-NAND baru yang digunakan pada SSD, kartu memori, dan perangkat penyimpanan lainnya. V10 BV-NAND mengadopsi arsitektur bonding V-NAND terbaru dengan susunan lebih dari 400 lapisan sel memori. Angka ini meningkatkan kepadatan memori sekitar 58 persen dibandingkan generasi V9 sebelumnya, sekaligus meningkatkan performa baca, tulis, dan I/O secara signifikan.

Baca Juga:

Samsung juga mengenalkan zNAND-O, solusi V-NAND generasi berikutnya yang menggabungkan efisiensi ruang tinggi, peningkatan performa I/O, dan latensi rendah. Produk ini ditujukan untuk lingkungan edge AI yang membutuhkan pemrosesan data cepat di perangkat tepi jaringan.

Terakhir, perusahaan memamerkan LPDDR5X-PIM, memori LPDDR pertama di industri yang mengusung teknologi processing-in-memory. Inovasi ini memungkinkan pemrosesan data dilakukan langsung di dalam memori untuk meningkatkan efisiensi secara keseluruhan.

Dengan portofolio produk baru ini, Samsung semakin memperkuat posisinya di pasar memori kelas atas. Namun, kabar ini menjadi kurang menggembirakan bagi konsumen umum yang berharap harga komponen elektronik bisa turun. Pasalnya, fokus produksi Samsung dan SK Hynix saat ini lebih banyak dialokasikan untuk memenuhi permintaan sektor AI yang terus meningkat.

Kondisi ini diperkirakan akan terus berlanjut selama industri AI masih mengalami pertumbuhan pesat. Alhasil, konsumen yang menantikan harga DDR5 yang wajar mungkin harus bersabar lebih lama lagi.

Bagi pengguna yang ingin mengetahui perkembangan lain dari Samsung, termasuk Samsung TV 2026 Dapat HDR10+ Advanced di Prime Video atau Samsung Larang Aplikasi Smart TV yang Ubah TV Jadi Proxy, kami telah menyediakan artikel lengkapnya.

Ikuti Telset.id di Google NewsFollow

Komentar

Belum ada komentar.