CXMT Siap Salip Kapasitas Produksi Micron pada 2026

Telset.id – ChangXin Memory Technologies (CXMT), produsen DRAM terbesar di China, diprediksi akan menyamai kapasitas produksi Micron pada akhir tahun 2026. Jika prediksi ini terbukti, China akan menjadi basis produksi DRAM terbesar kedua di dunia dalam beberapa tahun mendatang.

Proyeksi ini berdasarkan model perkiraan dari Citrini Research. Model tersebut memperkirakan bahwa CXMT akan mengakhiri tahun 2026 dengan kapasitas produksi DRAM sekitar 350.000 wafer starts per month (WSPM). Angka ini hanya terpaut 25.000 WSPM lebih rendah dari kapasitas produksi Micron yang diperkirakan mencapai 375.000 WSPM.

Pemerintah federal China disebut-sebut mendorong CXMT untuk berbagi teknologi DRAM-nya dengan perusahaan lain. Tujuannya adalah untuk mengurangi kelangkaan pasokan di dalam negeri. Perusahaan-perusahaan yang disebut antara lain JHICC, Swaysure, dan XMC, anak perusahaan YMTC.

Beberapa perusahaan tersebut telah atau akan segera membangun kapasitas produksi DRAM mereka sendiri. Swaysure telah menyelesaikan pembangunan pabrik di Shenzhen dengan kapasitas 140.000 WSPM. Sementara itu, JHICC memiliki ruang bersih untuk 120.000 WSPM di kompleks Jinjiang, dan fase awal 60.000 WSPM diperkirakan akan menerima peralatan pada akhir 2026. YMTC juga diproyeksikan mengoperasikan sekitar 50.000 WSPM produksi DRAM di Wuhan Fab 3.

Jika semua fasilitas ini beroperasi dalam beberapa tahun ke depan, China akan memiliki total kapasitas DRAM sebesar 600.000 WSPM. Jumlah ini tidak termasuk pabrik Samsung dan SK hynix yang berada di China. Kapasitas ini secara dramatis lebih rendah dibandingkan Korea Selatan, tetapi unggul dari Jepang, Taiwan, dan Amerika Serikat jika digabungkan.

China tidak akan berhenti mengembangkan industri DRAM-nya. Menurut Citrini, pada tahun 2030, total kapasitas produksi DRAM China akan meningkat menjadi sekitar 1,41 juta WSPM. CXMT sendiri diproyeksikan akan membangun kapasitas produksi baru di Beijing, Hefei, dan Shanghai. Dengan demikian, kapasitas produksi CXMT diperkirakan mencapai 950.000 WSPM pada tahun 2030.

Model pasokan memperkirakan bahwa sekitar 400.000 WSPM dari produksi CXMT akan tetap menggunakan node D1a. Sebanyak 400.000 WSPM lainnya akan beralih ke node D1b, dan sekitar 150.000 WSPM akan memproduksi perangkat D1c.

Meskipun prospeknya cerah, masih ada hambatan signifikan yang harus dihadapi. Citrini mengakui bahwa memproduksi perkiraan untuk China jauh lebih sulit daripada memprediksi perkembangan produsen DRAM mapan.

Di satu sisi, ada infrastruktur fabrikasi yang berkembang pesat di China, pendanaan negara yang melimpah, dan transfer teknologi yang diarahkan pemerintah. Di sisi lain, ketersediaan peralatan litografi tetap menjadi kendala utama dalam waktu dekat.

Hal ini terutama menjadi perhatian jika Undang-Undang MATCH yang diusulkan membatasi penjualan alat DUV imersi canggih ke perusahaan China tertentu. Namun, penulis laporan memperkirakan bahwa pemindai DUV imersi buatan SMEE akan memasuki produksi massal pada akhir 2026 atau awal 2027. Selain itu, SiCarrier/Yuliangsheng diperkirakan akan memperkenalkan platform DUV siap produksi pada tahun 2028.

Para analis memprediksi bahwa ketersediaan alat litografi tidak akan membatasi produksi China setelah tahun 2028. Setidaknya, untuk node logika matang dan DRAM. Namun, jika Undang-Undang MATCH berhasil mengganggu pasokan alat DUV imersi ke produsen DRAM, perluasan kapasitas produksi tidak akan terjadi dalam beberapa tahun ke depan.

Baik SMEE maupun SiCarrier membutuhkan waktu untuk meningkatkan produksi sistem litografi mereka. Sementara itu, produsen DRAM harus belajar cara menggunakannya secara efisien. Oleh karena itu, alat-alat buatan China diperkirakan belum akan menghasilkan volume DRAM yang berarti sebelum awal tahun 2030-an.

Meskipun demikian, kesimpulan utamanya adalah China berada di jalur yang tepat untuk menjadi produsen DRAM utama dalam waktu dekat. Perkembangan ini tentu akan berdampak pada pasar memori global, termasuk kemungkinan kenaikan harga iPad dan MacBook jika Apple menggunakan chip CXMT.

Citrini Research memproyeksikan total permintaan DRAM akan mencapai 157,5 exabytes (EB) per tahun pada tahun 2030. Permintaan ini mencakup 75 EB DRAM komoditas untuk CPU AI agen, 25 EB DRAM komoditas untuk server cloud konvensional, 20 EB DRAM komoditas untuk perangkat klien, dan 37,5 EB HBM4E serta HBM5 untuk akselerator AI.

Sementara itu, Citrini memperkirakan seluruh industri hanya akan memproduksi sekitar 37,5 EB memori HBM4E/HBM4. Sebagian besar produksi ini akan dilakukan oleh Micron, Samsung, dan SK hynix. Selain itu, industri juga diperkirakan memproduksi 91,3 EB DRAM komoditas pada tahun 2030. Hal ini akan meninggalkan defisit sebesar 28,7 EB, atau sekitar 25 persen.

Ekspansi cepat produksi DRAM di China bisa menjadi harapan terbaik industri untuk mempertahankan harga memori yang relatif rendah. Hal ini akan sangat bermanfaat bagi pasar perangkat konsumen yang sensitif terhadap harga memori. Namun, penulis laporan berpendapat bahwa sebagian besar kapasitas baru ini akan memenuhi permintaan China sendiri, bukan untuk menghilangkan kekurangan global.

Untuk membuat lebih banyak memori, produsen DRAM membutuhkan lebih banyak alat fabrikasi, terutama pemindai imersi 193nm. Perusahaan seperti ASML, Canon, dan Nikon tidak dapat meningkatkan output sistem DUV imersi dengan cepat. Hal ini karena mesin-mesin tersebut sangat kompleks dan mengandung puluhan ribu komponen.

Sementara perusahaan memori China menaruh harapan pada produsen lokal seperti SMEE dan SiCarrier, belum ada satu pun yang mengirimkan sistem imersi komersial. Bahkan setelah mereka berhasil melakukannya, akan membutuhkan waktu bertahun-tahun untuk meningkatkan produksi alat-alat tersebut.

Langkah CXMT ini juga menarik perhatian perusahaan teknologi global. Beberapa waktu lalu, Qualcomm menggandeng CXMT untuk mengatasi krisis DRAM ponsel. Sementara itu, ekspor chip China sendiri melonjak 96 persen imbas lonjakan harga memori global.