CXMT Mulai Produksi Massal DRAM G5 11,95nm, LPDDR5X 24Gb Masuk Ponsel Flagship China

Telset.id – CXMT resmi memulai produksi massal teknologi proses DRAM generasi kelima atau G5, langkah yang menempatkan produsen memori asal China itu pada jalur produksi DRAM kelas 10nm. Perangkat pertama yang diproduksi massal menggunakan G5 adalah chip 24Gb LPDDR5X, yang diklaim menawarkan kapasitas 50% lebih besar dibanding produk sebanding CXMT sebelumnya.

Kabar ini menjadi perkembangan penting bagi industri memori global karena CXMT kini menguasai salah satu teknologi proses DRAM paling maju di antara produsen China. Menurut laporan media China, produk 24Gb LPDDR5X tersebut sudah mulai masuk ke ponsel flagship utama di pasar China. Chip ini tersedia dalam dua format paket untuk kebutuhan desain perangkat mobile yang berbeda.

Namun, klaim CXMT tidak datang tanpa catatan. Angka 11,95nm yang disebut perusahaan bukanlah penanda node proses konvensional, sehingga menyebut G5 sebagai proses 12nm adalah penyederhanaan yang terlalu besar. Selain itu, dua dimensi fisik yang diungkap CXMT tidak serta-merta berarti kesetaraan teknologi dengan proses DRAM terbaru dari Micron, Samsung, dan SK hynix.

Detail Teknologi Proses G5 CXMT

CXMT menyebut teknologi proses G5 mampu menekan active-area half-pitch DRAM menjadi 11,95nm menggunakan litografi quadruple-patterning. Half-pitch 11,95nm tersebut setara dengan active-area pitch 23,9nm, dimensi yang menempatkannya kira-kira berada di kisaran teknologi DRAM kelas 10nm lainnya. Meski demikian, angka itu tidak bisa langsung diterjemahkan menjadi penamaan node DRAM konvensional.

Secara terpisah, CXMT menyatakan proses high-K metal gate (HKMG) yang dioptimalkan untuk DRAM berhasil menurunkan tinggi core cell array menjadi 6,762nm. Perusahaan juga mengubah alur prosesnya dan memperkenalkan material baru yang tidak disebutkan secara spesifik untuk memungkinkan kapasitor penyimpanan dengan rasio aspek kedalaman terhadap lebar sekitar 45:1.

Rasio aspek 45:1 berarti kapasitor penyimpanan CXMT memiliki kedalaman 45 kali lebih besar daripada lebarnya. Konfigurasi inilah yang memungkinkan perusahaan memperkecil area sel DRAM dan menempatkan lebih banyak larik memori pada satu wafer, sehingga kapasitas yang dijual menjadi lebih terprediksi. Sebagai perbandingan, SK hynix menyatakan rasio aspek kapasitor perlu melampaui 100:1 ketika dimensi kritis DRAM pada akhirnya turun di bawah 10nm.

Semakin tinggi rasio aspek, semakin besar pula tantangan pada proses etching, deposition, stabilitas mekanis, dan pada akhirnya manufaktur dengan hasil produksi tinggi. Artinya, pencapaian dimensi fisik bukan satu-satunya ukuran keberhasilan sebuah teknologi proses DRAM. Faktor density, penskalaan kapasitor, karakteristik transistor, konsumsi daya, dan yang tak kalah penting untuk produk komoditas adalah yield.

Catatan Penting di Balik Klaim CXMT

CXMT menyatakan G5 memberikan setidaknya 50% lebih banyak gross dies per wafer dibanding G4. Namun, tanpa angka aktual, klaim tersebut belum bisa diverifikasi secara independen. CXMT juga tidak mengungkap angka yield, sehingga peningkatan produktivitas tidak dapat ditentukan, termasuk jumlah known-good dies maupun biaya manufaktur per bit yang sebenarnya.

Ada beberapa catatan yang perlu diperhatikan dari pengumuman ini. Pertama, angka 11,95nm CXMT merepresentasikan active-area half-pitch, bukan penamaan node proses konvensional. Kedua, dua dimensi fisik yang diungkap tidak berarti paritas teknologi dengan proses DRAM terbaru dari Micron, Samsung, dan SK hynix. Ketiga, klaim 50% lebih banyak gross dies per wafer dibanding G4 belum disertai data pendukung.

Meski demikian, klaim node DRAM kelas 11,95nm tetap merupakan sebuah pencapaian. CXMT tidak hanya berbicara soal rencana, tetapi sudah memasuki tahap produksi massal untuk perangkat 24Gb LPDDR5X. Langkah ini memperkuat posisi CXMT sebagai pemain yang perlu diperhitungkan dalam peta persaingan memori global, terutama di segmen DRAM yang selama ini dikuasai segelintir produsen besar.

Bagi pasar China, kehadiran LPDDR5X 24Gb buatan CXMT di ponsel flagship utama menandakan pasokan memori lokal mulai naik ke kelas atas. Perkembangan ini juga menjadi sinyal bahwa rantai pasok memori China bergerak menuju kemandirian yang lebih besar, sejalan dengan dinamika industri chip yang tengah berubah. Pergerakan produsen China di sektor teknologi memang menjadi salah satu tema besar yang terus dipantau, seperti terlihat dari perkembangan terbaru di sektor otomotif dan kebijakan dagang yang turut memengaruhi lanskap teknologi global.

Yang perlu ditegaskan, keberhasilan produksi massal G5 belum otomatis berarti CXMT menyamai para pemimpin pasar DRAM. Perbandingan yang adil baru bisa dilakukan ketika density, karakteristik transistor, konsumsi daya, dan yield tersedia secara terbuka. Sampai saat itu, klaim CXMT tetap perlu dibaca sebagai pencapaian teknis yang signifikan sekaligus titik awal untuk pembuktian di pasar.