Telset.id, Jakarta – Qualcomm telah memilih Samsung untuk menjadi mitranya dalam memproduksi chipset mendatang perusahaan, Snapdragon 835. Chipset ini akan didasarkan pada proses 10nm FinFET terbaru milik Samsung, sehingga menjadikannya yang terkecil di jenisnya.
Menurut Qualcomm, proses 10nm FinFET baru memberikan efisiensi hingga 30 persen dan menawarkan 27 persen peningkatan kinerja atau konsumsi daya 40 persen lebih sedikit. Pengurangan footprint juga akan memungkinkan produsen hardware membuat perangkat yang lebih kecil atau memasukkan komponen lainnya.
Menurut laporan GSMArena, Jumat (18/11), prosesor baru ini juga akan menjadi yang pertama yang menyertakan Quick Charge 4 baru. Qualcomm mengklaim Quick Charge 4 memungkinkan pengisian daya 20 persen lebih cepat dan 30 persen lebih efisiens dari Quick Charge 3, berkat teknologi charging paralel Dual Charge-nya.
Ini juga mendukung USB-C dan USB Power Delivery standar, yang kita bisa asumsikan, memungkinkan pengguna dapat mengisi dengan cepat perangkat USB-PD seperti Nexus tahun lalu dan ponsel Pixel baru, serta MacBook USB-C baru menggunakan charger Quick Charge 4.
Quick Charge 4 meliputi generasi ketiga INOV atau Intelligent Negotiation for Optimum Voltage, yang kini menyediakan manajemen termal real-time. Qualcomm juga memperkenalkan dua IC manajemen daya baru, yakni SMB1380 dan SMB1381, yang memiliki impedansi rendah, hingga 95% efisiensi puncak, dan fitur pengisian cepat yang ditingkatkan seperti penginderaan baterai diferensial.
Menurut Qualcomm, Snapdragon 835 diharapkan bisa dibenamkan di dalam perangkat pada semester pertama 2017. [IF]
